Silikonkarbied SiC is 'n saamgestelde halfgeleiermateriaal wat bestaan ​​uit silikon Si en koolstof C, gewoonlik in 4H-SiC kristaltipe. Sy isolasie-afbreekveldsterkte is 10 keer dié van Si, energiegaping is 3 keer dié van Si, termiese geleidingsvermoë is 3 keer dié van Si, en versadigingsdryfspoed is 2 keer dié van Si. Dit is 'n baie beter krag elektroniese toestel materiaal as Si.