Die impedansie van die dryflaag van silikonkarbied SiC-toestelle is laer as dié van Si-toestelle, en hoë weerstaanspanning en lae impedansie kan bereik word met MOSFET-struktuur sonder geleidingsmodulasie. Boonop genereer MOSFET's in beginsel nie 'n stertstroom nie, sodat skakelverliese aansienlik verminder kan word en miniaturisering van die hitte-afvoerkomponente bereik kan word wanneer IGBT's met SiC-MOSFET's vervang word. Daarbenewens kan SiC-MOSFET bedryfsfrekwensie baie hoër wees as die IGBT, sy kring induktor kapasitor dele kleiner, maklik om die stelsel klein grootte en gewig te besef. In vergelyking met dieselfde 600V ~ 900V spanning Si-MOSFET, SiC-MOSFET chip area is klein, kan gebruik word in kleiner pakkette, en die liggaam diode herstel verlies is baie klein. Tans word SiC MOSFET's hoofsaaklik gebruik in hoë-end industriële kragbronne, hoë-end omsetters en omsetters, hoë-end motor sleep en beheer, ens.