Met 'n hoë-frekwensie Schottky versperring diode struktuur, SiC SBD bereik meer as 600V hoë spanning, terwyl maksimum weerstaan ​​spanning van silikon SBD is slegs 200V of so, en sy aan-toestand spanningsval is baie laer as dié van die silikon vinnige herstel diode. sy afskakel herstel tyd is kleiner, dus afskakel verlies is laer, wat lei tot laer elektromagnetiese interferensie EMI. Die gebruik van SiC SBD om die hoofstroomproduk silikon vinnige herstel diode FRD te vervang, kan die totale verlies aansienlik verminder, die doeltreffendheid van die kragtoevoer verbeter, en deur die hoëfrekwensie werking die miniaturisering van passiewe komponente soos induktors en kapasitors te bereik , en elektromagnetiese interferensie EMI is laer. Silikonkarbied SBD kan wyd gebruik word in lugversorgers, kragbronne, omsetters in fotovoltaïese kragopwekkingstelsels, motor-sleepstelsels vir elektriese voertuie en vinnige laaiers.